你即將離開本站

並前往https://ir.lib.nchu.edu.tw/handle/11455/17084

MOSFET隧穿電流之理論研究 - NCHU Institution Repository

隨著半導體製程的進步，半導體元件中的氧化層的厚度也越來越薄，電子穿過氧化層 ... 的隧穿機率，再依照所得的隧穿機率精確值計算MOSFET的Direct tunneling current。

確定！ 回上一頁

查詢 「氧化層厚度計算」的人也找了：

  1. 等效氧化層厚度
    2.
  2. 等效氧化層厚度公式
    3.
  3. 閘極氧化層厚度
    4.
  4. eot公式
    5.
  5. eot計算
    6.
  6. 等效閘極氧化層厚度
    7.
  7. 半導體氧化層
    8.
  8. eot等效氧化層厚度
    9.