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氧化層厚度計算
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详解半导体器件C-V特性测试 - 与非网
交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度,晶圆工艺的界面陷阱密度,掺杂浓度,掺杂分布以及载流 ... MOS 器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算.
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