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通过测量隧穿电场来快速评价SONOS 可靠性

积累正电荷,并测量膜的表面电势,结合氧化膜-氮化膜-氧化膜共生膜的厚度,计算出正 ... 为硅基底的表面电势;V trap+Vsion为多晶硅-阻挡氧化层-氮化硅层(SON)的电势,是.

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