你即將離開本站

並前往http://www.jos.ac.cn/fileBDTXB/oldPDF/20060517.pdf

HfO2 高k 栅介质等效氧化层厚度的提取3

从C2V 特性曲线中最大的积累层电容,可以. 根据如下公式近似计算出HfO2 介质的等效氧化层. 厚度EO T. EOT = εoxε0 A/ Cmax. (3). 其中εox 为二氧化硅的相对 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「氧化層厚度計算」的人也找了：

  1. 等效氧化層厚度
    2.
  2. 等效氧化層厚度公式
    3.
  3. 閘極氧化層厚度
    4.
  4. eot公式
    5.
  5. eot計算
    6.
  6. 等效閘極氧化層厚度
    7.
  7. 半導體氧化層
    8.
  8. eot等效氧化層厚度
    9.