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先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究-手机知网

先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究,高介电常数介质;;原子层淀积;;分子束外延;;单晶氧化物;;第一性原理计算;;外延生长;;MOS电容,随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动 ...

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