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MOSFET的基本工作原理• 结型场效应晶体管• 金属

氧化层厚度 :d. MOS. 四端器件. 1) 基本工作原理. 结深:r j. ,衬底掺杂N. A. 以源接触为电压参考点. MOSFET示意图. 若栅极未加电压，从源到漏的电流是反向漏电流，沟道 ...

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