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键合Si/Si p-n结电学输运特性及电场增强效应研究 - Researching

结果表明：随着氧化层厚度的增加，载流子隧穿率变小，p-n 结光暗电流降低（光谱响应 ... 计算分析，探索Si/Si 键合界面氧化层厚度（Oxide Layer ...

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