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國立臺灣大學電機資訊學院電子工程學研究所碩士論文奈米部分 ...

長度和閘極氧化層厚度的縮小而相對的大幅增加，使得元件的特性和電路的效能. 下降並增加其不穩定性。如圖1.1， 絕緣體上矽(Silicon on Insulator — SOI).

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