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正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展 - 物理学报

正电子 湮没寿命和多普. 勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法, 在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方. 面能够发挥独特的作用; 此外, 慢正电子束流 ...

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