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尋找極具潛力的新興記憶體材料—反鐵電氧化鉿鋯 - EDN Taiwan

與鐵電相似卻又具特殊性的反鐵電(Anti-Ferroelectric)材料由於近年來鐵電鉿基氧化物(Hf-Based Oxide)蓬勃發展，相關此材料與特性的研究持續進展。

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