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材料缺陷好處
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SiC功率晶體的設計發展及驅動電壓限制 - 電子工程專輯
傳統上在高電壓功率晶體的設計中,採用矽材料的功率晶體要達到低導通電阻, ... 在平面式SiC功率晶體製作通道採用的<0001>矽平面,受到晶格缺陷程度較 ...
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