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CN101675179A - 消除半导体材料缺陷的方法 - Google Patents

根据本发明，提供利用低温作为手段从包含取自元素周期表的III和V族的材料的大单晶、单晶衬底晶片、外延层和其他结构消除位错等缺陷的方法和装置。 目的和优点. 因此，除了 ...

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