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GCD技術突破特徵分析加速MOSFET演進 - 新電子雜誌

... 為本質載子濃度(室溫下ni=1.4510 10 cm -3 )，ID為反型層電荷造成的GCD電流降。可利用公式(2)來確定電晶體的有效溝道長度。電晶體寬度(W)通常10微米。

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