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摻雜(半導體) - 維基百科，自由的百科全書

摻雜物濃度對於半導體最直接的影響在於其載流子濃度。在熱平衡的狀態下，一個未經摻雜的本徵半導體，電子與空穴的濃度相等，如下列公式所示：.

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