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SiC功率晶體的設計發展及驅動電壓限制 - 電子工程專輯

矽材料在被製作半導體的過程中經過蝕刻及氧化作用，可以產生相對厚度均勻、雜質 ... 圖6：SiC閘極氧化層可靠度測試及其本質缺陷及非本質缺陷示意圖。

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