交通大學 Huang 等人利用金屬有機化學氣相沉積系統成長 20 對無裂痕的 AlN/GaN DBR ... 人提出在 AlGaN/GaN DBR 中插入 AlN 層來轉換成長 DBR 時的應力,其實驗結果顯示 ...
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