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《外資這樣買半導體股》：三星電子在次世代製程有可能彎道 ...

另一方面，台積電有望將現有的FinFET結構保留到3奈米，並從2奈米投入GAA結構。在GAA製程中，沉積操作難度提升，增加了矽鍺（SiGe）的選擇性蝕刻工藝等技術 ...

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