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具有晶格匹配的AlIn（Ga）N背势垒的AlGaN / GaN异质结构的 ...

AlGaN / GaN异质结构通过AlIn（Ga）N背势垒在900°C下成功生长。但是，AlIn（Ga）N层的原子组成强烈取决于生长压力，这导致该层的晶格常数不同。

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