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GaN on Si 磊晶技術應用於發光二極體與功率元件現況

然而，Si與GaN間先天上在晶格不匹配度與熱膨脹係數分別有17%與46%的極大差異，晶格常數的差異將導致過多缺陷（如差排）的產生並穿越量子井，進而嚴重 ...

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