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半絕緣碳化矽晶圓發展現況 - 材料世界網

有鑑於SiC單晶晶圓為高技術門檻. ... 一層一層如磊晶般，將碳矽原子堆疊於單晶晶種上，經過長達5~7天的時間，完成一SiC單晶晶球之生長，如圖二所示。

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