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過渡性金屬氧化物奈米結構製備與硫屬化合物之單晶成長及其 - IR

涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 ... 用X-光繞射技術量測各種單晶與奈米結構之晶格常數並進行電特性量測，同時運用各.

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