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晶圓直接鍵合及室溫鍵合技術研究進展

為了儘可能減小傳統的高溫矽熔鍵合（800~1000）℃所引發的多種材料、結構間的熱膨脹和熱應力，如何在較低退火溫度條件下實現半導體晶圓鍵合是研究者們關注 ...

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