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LED晶圓技術發展趨勢及LED晶圓製程 - TrendForce

並且和襯底分離的GaN薄膜有可能成為體單晶GaN晶片的替代品。HVPE的缺點是很難精確控制膜厚，反應氣體對設備具有腐蝕性，影響GaN材料純度的進一步提高。 3 ...

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