程一般均用HF+RCA 或單獨的RCA 清洗製程,. 當清洗完成後在矽晶圓表面即有9 至10 埃. 厚的化學氧化層,這是由於在SC-1 清洗步. 驟時,氫氧化氮的化學作用所導致的結果. 11, ...
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