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TW201542853A - 矽晶圓

該等會導致晶圓操作錯誤或接面漏電等製造上之問題。例如，作為磊晶成長之基板而使用之Si之晶格常數為5.43埃，與此相對，作為氮化物半導體之一的GaN之晶格常數為3.189埃。又 ...

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