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寬能隙元件成小尺寸晶圓廠新希望 - 電子時報

寬能隙材料是指帶隙在2~7eV之間的半導體。兩種材料在科研界受注目已久，而在此時逐漸浮上產業檯面的SiC(Silicon Carbide)與GaN(Gallium Nitride)，它們的 ...

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