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半导体技术再突破台湾研发侧向磊晶扭转结构获专利 - 中国新闻网

成大跨域研究团队于国际期刊《自然·通讯》发表论文，分享侧向扭曲同质磊晶结构的研究成果，期刊文章第一与共同第一作者分别为杨展其老师的博士后研究员 ...

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