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日本研發出半導體材料氧化鎵的低成本製法

... 法」，通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料，可以在基板上製造出氧化鎵的晶體。 現有的製法是「氫化物氣相外延（HVPE）法」，新製法可以製成此前實現不了 ...

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