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3.1 單晶矽非等向性濕式蝕刻

其中三個基本晶格面(100)、(110)、(111)中，以(111)的蝕刻速率最慢，以. 濃度30 wt. %與溫度85 °C 的KOH 溶液為例，對(100)與(111)平面的蝕刻率比.

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