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p-Si(110)衬底上蒸发生长PTCDA薄膜的生长方式的XRD表征

衍射峰的位置对应于单斜晶系的(102)晶格平面，此时PTCDA分子平面几乎平行于衬. 底。生长温度为100℃的样片，PTCDA分子几乎垂直于表面生长。

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