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新電子 06月號/2020 第411期 - 第 67 頁 - Google 圖書結果

... 與處於技術瓶頸期的Si MOSFET相比,eGaN FET的迅速發展,將進一步擴大其效能差距。 ... 聯網/供電一兼二顧 PoE設計降耗損迎高功率 Riley Beck 聯網的設備依賴於兩個 ...

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