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應用於低消耗功率0.45伏特X-Band電壓控制振盪器

本論文針對X-band通訊頻段使用0.18微米製程，設計並實做一互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)低功率電壓控制振盪器（Voltage ...

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