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126.6~128.1 GHz基波压控振荡器设计

摘要: 采用65 nm CMOS工艺，设计一款基波压控振荡器（VCO）. 采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容（LC）谐振网络. 采用交叉耦合对管作为VCO的负 ...

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