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連續柴氏長晶法成長矽單晶過程雜質輸送之數值模擬研究(1/3)

改進Cz長晶法這些缺點，為目前研究的重點。連續供料式的柴氏（CCz）長晶技術使用多個坩堝來容納矽熔湯，可克服Cz生長技術的缺點。從文獻中發現，CCz可連續地的供應矽 ...

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