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超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造 - 电子工程专辑

早在2007 年，美国Cree 公司就报道了阻断电压为9 kV 的平面栅P 沟 ... 场截止层（F-S）为高掺杂浓度的N + 缓冲层，其主要作用在于使正向阻断状态下 ...

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