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碳化硅「狂飙」：追赶、内卷、替代 - 投资界

作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高 ...

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