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高溫快速熱退火技術於AM-OLED TFT-Array 之應用 - 材料世界網

ELA原理先利用PECVD方式沉積低氫含量a-Si薄膜，再以400℃~500℃溫度作去氫動作，去氫完成後以準分子雷射為主要動力能量，利用瞬間雷射脈波產生的高能量入射 ...

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