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超低溫鍺化硼分子離子佈植技術應用於製作淺接面半導體元件之 ...

經單一階段1050℃、25 秒快速熱退火的低溫佈植試片的缺陷密度較少，片電阻值較低，並且暫 ... 基本上，經550℃ 爐管退火之後的硼原子縱深分佈幾乎呈現沒有呈現明顯的擴散 ...

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