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快速退火系統(Rapid Temperture Annealing, RTA)

發熱面:上/下層雙面輻射加熱. (6).適用晶片尺寸：破片~ 4”Si Wafer. (7).4”Wafer 控溫溫度偏差: ±3°C以內. (8).SiC載具. (9).純金鍍鏌冷壁式腔體. (10).熱源：快速 ...

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