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納米材料導論 - 第 259 頁 - Google 圖書結果

以 Ni 為催化劑來採用化學氣相沉積(CVD)法可以製備 GaN 納米線,如圖 3-24(a)所示,從圖可看出納米線的純度較高,平均直徑約 26nm,長數微米,納米線的生長頭部存在納米顆粒 ...

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