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極紫外光微影技術實驗設施

根據ITRS 2012 的報告，極紫外光微影(Extreme. UV Lithography, EUVL) 是16 nm 結點以下之次世代. 微影技術中的主流。 ... 基於生產率的考量，雖然商用EUVL 量. 產設備仍採用 ...

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