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TWI413160B - 半導體微影製程

如步驟12，於光阻的後烤製程之後，進行一晶邊曝光製程(WEE,Wafer Edge Exposure)，其使用例如紫外光、深紫外光或極端紫外光，曝光基材的一外圍環狀區域。 如步驟13，在不 ...

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