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極紫外光微影技術實驗設施 - 國家同步輻射研究中心

根據ITRS 2012 的報告，極紫外光微影(Extreme. UV Lithography, EUVL) 是16 nm 結點以下之次世代. 微影技術中的主流。半導體為我國重要的產業之一，因.

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