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行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告- 高介電常數的三 ...

的N2O電漿功率表現出較低的電容值和較. 小的平帶電壓。電容等效厚度的增加是因. 為在Pr2O3和多晶矽之間的SiOxNy緩衝層的. 增加。因此，許多的薄膜表面狀態導致平.

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