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漏電流對金屬/鐵電層/絕緣層/矽結構電容和場效應電晶體記憶 ...

在本次實驗中我們成功製作了金屬(Al)/鐵電薄膜(PZT)/絕緣層(ZrO2)/半導體(p-type)電容器及廠效應電晶體。利用了dilute HCl 的表面處理方法去頓化ZrO2/Si 的表面並降低 ...

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