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碳化矽功率半導體元件

MOS 電容元件其平帶偏壓偏移最高可. 達15V，將產生嚴重的可靠度問題。也. 因此在伴隨磷鈍化所產生的可靠度問題. 圖六：藉由氮鈍化來移除間隙碳前後的.

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