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MOS场效应管结构电容压控特性分析

理想状态：半导体表面电场效应特点，多子堆积状态+多子耗尽状态+少子反型状态，相互并不联系； · 实际状态：堆积状态+耗尽状态是有平带状态， · 耗尽状态率 ...

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