你即將離開本站

並前往https://scholars.lib.ntu.edu.tw/handle/123456789/71983

二氧化鋯、氧化釔4H碳化矽金氧半電容製作及分析| NTU Scholars

本論文製作兩種金氧半電容元件，基板使用4H-SiC，氧化層使用ZrO2和Y2O3為閘極氧化 ... 時，漏電流密度都是10-7A/cm2，至於C-V量測方面，在兩種薄膜的電容情況，平帶 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「平帶電容」的人也找了：

  1. Subthreshold swing
    2.
  2. mos電容計算
    3.
  3. 金氧半電容
    4.
  4. 次臨限擺幅
    5.
  5. mos電容特性
    6.
  6. 次臨界電流
    7.
  7. 金氧半 電容元件
    8.
  8. subthreshold slope定義
    9.