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低偏移平带电压SiC MOS电容制备方法 - Google

本发明公开了一种低偏移平带电压SiC MOS电容的制作方法，主要解决SiO 2 /SiC界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料进行标准清洗处理；利用分子束外延 ...

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