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6.2.1 ESD-Implant Process(防靜電放電佈植製程)

在通道(channel)下的電場強度分佈，以克服因熱載子效應(. Hot carrier effect)所造成的I-V特性因使長時間用 ... 尖端放電"的現象便容易發生在LDD這個尖端結構上，當這.

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